Tranzystory bipolarne

Tranzystory bipolarne składają się z trzech warstw o różnym typie przewodnictwa. Środkową warstwę nazywamy bazą B, skrajne warstwy to emiter E i kolektor C. W tranzystorze powstają dwa złącza PN – emiterowe PR1 (pomiędzy emiterem a bazą) oraz kolektorowe PR2 (pomiędzy bazą a kolektorem).

Według układu warstw tranzystory bipolarne dzielą się na tranzystory typu PNP i NPN. Oprócz układu warstw, tranzystory bipolarne różnią się znacznikiem graficznym oraz zasilaniem. Tranzystor typu NPN musi mieć zawsze dodatnie napięcie na kolektorze, a tranzystor typu PNP musi mieć zawsze ujemne napięcie na kolektorze, inaczej ulegną zniszczeniu.